RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 9, страницы 1381–1392 (Mi jtf4942)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физическое материаловедение

Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов

Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Дисперсные композитные материалы на базе моноокиси кремния и углерода (SiO/C) получены в результате термообработки смеси порошков, состоящей из 40 wt.% SiO и 60 wt.% CF$_{0.8}$. Отжиг производился в атмосфере аргона при температурах 1000 – 1250$^\circ$C. С помощью электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлено, что при $T\ge$ 1100$^\circ$C в твердофазном продукте появляется карбид кремния, в том числе в форме нановискеров кубической модификации. На основании данных об убыли веса реакционной смеси вычислен состав образующихся продуктов в зависимости от температуры отжига. Аноды, изготовленные из композитов, полученных при температуре выше 1100$^\circ$C, демонстрируют резкое падение емкости и кулоновской эффективности. Показано, что наблюдаемые изменения обусловлены не столько образованием SiC, сколько возрастанием содержания кислорода в матрице, окружающей преципитаты кремния, которые образовались в результате диспропорционирования SiO. Установлено, что оптимальной температурой отжига, обеспечивающей наиболее высокие значения емкости электродов, кулоновской эффективности первого цикла и способности работать при высоких плотностях тока, является $T$ = 1050$^\circ$C.

Ключевые слова: моноокcид кремния, карбонизация, вискеры карбида кремния, аноды для литий-ионных аккумуляторов.

Поступила в редакцию: 26.03.2021
Исправленный вариант: 23.04.2021
Принята в печать: 24.04.2021

DOI: 10.21883/JTF.2021.09.51218.83-21


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2021, 66:11, 1228–1240

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024