Измерение внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода

Представлен способ измерения внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода, заключающийся в измерении мощности излучения и граничных частот электролюминесценции светодиода при двух малых токах, соответствующих участку роста квантовой эффективности светодиода, и расчете значения внутреннего квантового выхода по соответствующей функциональной зависимости. Для определения внутреннего квантового выхода при других значениях тока измерена токовая зависимость внешнего квантового выхода и рассчитан коэффициент вывода излучения из структуры по результатам измерений внутреннего и внешнего квантового выхода при малом токе. Достоверность способа измерений подтверждена сопоставлением результатов измерений с результатами, полученными известным способом измерений.