Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Описаны конструкция и технологии изготовления мощных СВЧ-мезафотодиодов с барьером Шоттки диаметром от 10 до 40 $\mu$m и обратной засветкой через подложку на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рабочая частота фотодиодов диаметром 10 $\mu$m составляет 40 GHz, а максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 GHz для фотодиодов диаметром 15 $\mu$m достигает 58 mW. Коэффициент амплитудно-фазового преобразования составил 1.5 rad/W, что превосходит литературные данные и делает данную конструкцию фотодиодов перспективной для применения в системах генерации и передачи аналоговых СВЧ-сигналов с высокими требованиями к фазовым шумам.