Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем

Результаты работы количественно и качественно освещают процессы релаксации напряжений несоответствия, возникающих при эпитаксии кубического карбида кремния на кремнии. Проведен анализ распределений механических напряжений в гетероструктурах 3$C$–SiC/Si и 3$C$–SiC/$por$-Si. Показана существенная роль пористого буферного слоя в уменьшении величины напряжений несоответствия. Данные теоретического исследования подтверждены экспериментальными значениями остаточных напряжений в образцах 3$C$–SiC/Si и 3$C$–SiC/$por$-Si.