Дисперсия плазменных колебаний в аморфных халькогенидных полупроводниках

Исследованы тонкие пленки аморфных халькогенидных полупроводников на кристалле кремния методом дисперсии плазменных колебаний, и рассчитана асимметрия числа электронов в зоне формирования полного внешнего отражения рентгеновских лучей и возбуждения плазмонов. Наблюдались петлеобразные дисперсионные кривые, и определены средние энергии плазмонов и связанные с ними внутренние механические напряжения и поляризация исследованных пленок. Выяснено отсутствие внутренних механических напряжений и поляризации в аморфной полупроводниковой пленке сульфида молибдена.