Теплопроводность и термоэдс соединений системы Cu–Ge–As–Se

Проанализировано влияние температур (300–400 K) и концентраций на электропроводность, термоэдс и коэффициент теплопроводности кристаллических материалов на основе халькогенидов меди с общей формулой (GeSe)$_{1-x}$(CuAsSe$_{2}$)$_{x}$. Определены механизмы переноса тепла. Выявлена немонотонность температурной зависимости теплопроводности с аномалией при 358 K. Вычислена термоэлектрическая добротность $ZT$.