Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности

Представлены результаты тестирования деградации светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Наблюдалось увеличение внешней квантовой эффективности выше исходной величины после пропускания тока 150–170 mА. Рассмотрены возможные физические процессы, приводящие к изменению квантовой эффективности и росту низкочастотного шума.