RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2021, том 91, выпуск 1, страницы 139–144 (Mi jtf5111)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физическая электроника

Резистивное переключение в структурах ITO/SiN$_{x}$/Si

Ф. Ф. Комаровab, И. А. Романовc, Л. А. Власуковаc, И. Н. Пархоменкоc, А. А. Цивакоd, Н. С. Ковальчукd

a НИУ Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Беларусь
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Белорусский государственный университет, г. Минск
d ОАО "ИНТЕГРАЛ", Минск, Беларусь

Аннотация: Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiN$_{x}$/Si. Пленка нитрида кремния толщиной $\sim$200 nm с изменяющимся по глубине соотношением Si/N нанесена методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Результаты исследования вольт-амперных характеристик структур ITO/SiN$_{x}$/Si-$p$ показали, что механизм проводимости в состоянии с высоким сопротивлением определяется свойствами нитридной пленки и описывается моделью Пула–Френкеля, учитывающей перескоковый характер движения электронов между ловушками. Изменение полярности приложенного к структуре напряжения приводит к разрушению проводящих каналов в нитридной пленке и переключению структуры в состояние с высоким сопротивлением. Для структуры ITO/SiNx/Si обнаружен эффект фотопереключения, что открывает новые возможности использования мемристоров в системах кремниевой оптоэлектроники.

Ключевые слова: нитрид кремния, избыток кремния, мемристор, вольт-амперные характеристики, механизмы проводимости.

Поступила в редакцию: 13.04.2020
Исправленный вариант: 01.07.2020
Принята в печать: 07.07.2020

DOI: 10.21883/JTF.2021.01.50286.128-20


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2021, 66:1, 133–138

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024