Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке

Методом растровой электронной микроскопии изучалась пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что в полуполярном AlN-слое применение нанорельефа, состоящего из треугольных наноканавок с наклонными гранями, близкими к плоскости Si(111), может приводить к формированию трещин только в направлении, перпендикулярном канавке. Модельные представления пластической релаксации напряженного полуполярного слоя основываются на сравнении величин порогового напряжения, выше которого возникают трещины, и термомеханических напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов термического расширения AlN/Si-структуры.