А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, Д. В. Денисов, В. Н. Неведомский, Е. С. Колодезный, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы”, ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 12,страницы 2139

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика низкоразмерных структур

Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

А. Г. Гладышев^a, А. В. Бабичев^a, В. В. Андрюшкин^a, Д. В. Денисов^b, В. Н. Неведомский^c, Е. С. Колодезный^a, И. И. Новиков^a, Л. Я. Карачинский^a, А. Ю. Егоров^d

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c Центр коллективного пользования "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" на базе Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
^d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95 – 0.97 $\mu$m при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$.

Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.

Поступила в редакцию: 13.04.2020
Исправленный вариант: 12.05.2020
Принята в печать: 13.05.2020

DOI: 10.21883/JTF.2020.12.50133.129-20