Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии

Исследовано локальное резистивное переключение в контакте зонда атомно-силового микроскопа (АСМ) к пленкам ZrO$_{2}$(Y) (в том числе – с подслоем Та$_{2}$O$_{5}$) на проводящих подложках. Переключение проводилось треугольными импульсами напряжения с наложением высокочастотного синусоидального сигнала. На зависимостях разности силы тока через АСМ зонд в низкоомном и высокоомном состояниях диэлектрических пленок от частоты высокочастотного синусоидального сигнала наблюдались максимумы при частотах, соответствующих характерным частотам перескоков ионов О$^{2-}$ по кислородным вакансиям в ZrO$_{2}$(Y) и Та$_{2}$O$_{5}$ при 300 K. Эффект связан с резонансной активацией миграции ионов O$^{2-}$ по вакансиям кислорода внешним высокочастотным электрическим полем.