Возможности метода ВИМС для анализа профиля имплантированного водорода в кремнии и примесного состава структур “кремний на изоляторе”

Приведены результаты теоретического и экспериментального исследования распределения водорода в кремнии и структурах SiO$_{2}$–Si при имплантации в режимах, используемых при изготовлении структур “кремний на изоляторе” по технологии водородного переноса. Предложена методика количественного анализа высоких концентраций имплантированного водорода в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии, включающая количественную калибровку концентрации атомов водорода и нормировку глубины анализа из времени распыления. Приведены результаты исследований распределения по глубине имплантированного водорода в кремнии и структурах Si–SiO$_{2}$. Определен примесный состав имплантированных структур. Контролировались также латеральная однородность и временная стабильность имплантированных структур.