Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Б. В. Гончаров, М. М. Дементьева, Л. В. Кутузов, Д. А. Комаров, А. Г. Домантовский, В. Л. Столяров, Е. Д. Ольшанский, “Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия”, ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 11,страницы 1860

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10--13 марта 2020 г.
Физика низкоразмерных структур

Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия

Б. А. Гурович^a, К. Е. Приходько^ab, Б. В. Гончаров^a, М. М. Дементьева^a, Л. В. Кутузов^a, Д. А. Комаров^a, А. Г. Домантовский^a, В. Л. Столяров^a, Е. Д. Ольшанский^a

^a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследовано влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием облучения в нанопроводе, на его сверхпроводящие переходы. Рассмотрены нанопровода из нитрида ниобия шириной 75–20000 nm, изготовленные из пленки NbN толщиной 5 nm на подложках из монокристаллического кремния, покрытого слоем термического оксида кремния толщиной 0.3 $\mu$m и на подложках из сапфира. Описано влияние встроенной резистивной области на величину критического тока перехода из сверхпроводящего состояния в нормальное.

Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, критические токи перехода сверхпроводящих нанопроводов, криоэлектронные устройства, интегрированные криогенные резисторы, ионное облучение.

Поступила в редакцию: 01.04.2020
Исправленный вариант: 01.04.2020
Принята в печать: 01.04.2020

DOI: 10.21883/JTF.2020.11.49975.106-20