RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 10, страницы 1621–1627 (Mi jtf5171)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

III Международная конференция Физика -- наукам о жизни
Физические методы в агро- и генетико-селекционных технологиях

Предпосевная обработка семян озимой пшеницы поверхностным разрядом

А. В. Лазукинab, С. В. Гундареваb, И. А. Моралевbc, С. А. Кривовb

a Институт физиологии растений им. К. А. Тимирязева РАН, Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
c Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва

Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования действия продуктов поверхностного разряда на семена мягкой озимой пшеницы в электродных конфигурациях, состоящих из параллельных полос с расстоянием между полосами 5 и 10 mm. В каждой из систем семена экспонировались 10, 60, 120 или 180 s при напряжениях 1.8, 2.1, 2.4 или 2.7 kV при питании электродов синусоидальным напряжением частотой 4.4 kHz. Семена располагались в один слой на заземленной плоскости на расстоянии 10 mm от плоскости диэлектрического барьера. Результаты обработки оценивались по морфологическим характеристикам трехсуточных проростков. Методом трассерной визуализации частиц контролировалось распределение воздушных течений в промежутке. Показано, что режимы обработки разделяются на две принципиальные группы. Первая группа – когда воздушный поток достигает плоскость, на которой располагаются семена, вторая группа – когда воздушный поток не достигает ее. В первом случае (расстояние между полосами 10 mm, напряжение 2.4–2.7 kV при всех экспозициях) удается достичь режимов, стимулирующих прорастание. Всхожесть семян не изменялась и сохраняла высокие значения во всех рассмотренных режимах.

Ключевые слова: поверхностный барьерный разряд, предпосевная подготовка, озимая пшеница, ионный ветер, трассерная визуализация частиц.

Поступила в редакцию: 12.12.2019
Исправленный вариант: 12.12.2019
Принята в печать: 17.02.2020

DOI: 10.21883/JTF.2020.10.49790.398-19


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2020, 65:10, 1551–1557

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024