Возможности метода задающей маски для исследования характеристик планарных ВТСП-структур в зависимости от толщины сверхпроводящей пленки

В отличие от традиционных методов создания планарных сверхпроводящих структур на основе пленок YBCO, в которых для формирования топологии используется травление или ионная имплантация, в методе задающей маски (ЗМ) топология задается на начальном этапе процесса изготовления структуры, при формировании ЗМ, а осаждение YBCO является его завершающим этапом. В окнах ЗМ образуются сверхпроводящие элементы структуры, а между ними – изолирующие области. Зафиксировав топологию сверхпроводящих мостиков на этапе формирования ЗМ, измерены их характеристики в зависимости от толщины пленки YBCO, последовательно проводя циклы осаждения. После каждого осаждения YBCO проводились измерения структурных параметров пленки, а также критических температуры и тока на мостиках, в том числе на мостиках с джозефсоновскими контактами, сформированными на бикристаллической подложке.