RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 10, страницы 1764–1768 (Mi jtf5192)

Твердотельная электроника

Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения

В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлен высокоэффективный фотоэлектрический модуль, оптимизированный для преобразования монохроматического излучения с длиной волны 809–850 nm. Модуль включает четыре фотопреобразователя общей площадью 16 cm$^{2}$, которые при работе с лазерным излучением мощностью более 1 W обеспечивают рабочее напряжение более 4 V. При разработке и создании AlGaAs/GaAs-структур для приемников-преобразователей излучения использовались метод эпитаксии из жидкой фазы и метод газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При работе фотоэлектрического модуля в режиме равномерной облученности светоприемной поверхности эффективность преобразования мощного (6.2 W) лазерного излучения превысила 60%.

Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, AlGaAs/GaAs, модуль, эпитаксия.

Поступила в редакцию: 04.02.2020
Исправленный вариант: 17.03.2020
Принята в печать: 18.04.2020

DOI: 10.21883/JTF.2020.10.49811.43-20


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2020, 65:10, 1690–1694

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024