Исследование объемного радиационного переноса тепла в кристалле и расплаве с помощью численного моделирования при выращивании кристаллов сапфира методом Степанова

Методом численного моделирования изучен эффект объемного радиационного переноса тепла при выращивании профилированных кристаллов сапфира из расплава. Рассмотрены особенности структуры световодного потока в кристалле и расплаве, а также возможность появления радиационной неустойчивости границы раздела фаз. Показано наличие переохлажденных областей под фронтом кристаллизации, размер которых зависит от скорости выращивания. Установлено, что использование конструкции конического формообразователя привело к более устойчивому процессу выращивания.