Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии

С помощью атомно-силовой микроскопии исследованы элементарные процессы выращивания гетероструктур (Al,Ga,In)As на разориентированных подложках GaAs (001) методом MOC-гидридной эпитаксии при пониженном давлении. Установлено, что рост эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. Рост псевдоморфных слоев InGaAs/GaAs (001) также происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. Однако если толщина псевдоморфного слоя In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs (001) превышает некоторое критическое значение, зависящее от мольной доли InAs в составе твердого раствора $(x)$, на поверхности слоя InGaAs наблюдается образование дефектов роста в виде трехмерных островков, плотность которых увеличивается с ростом толщины слоя InGaAs. Образование трехмерных островков InGaAs связано с релаксацией упругих напряжений в псевдоморфном слое InGaAs/GaAs (001) по механизму Странски–Крастанова.