RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2020, том 90, выпуск 5, страницы 831–834 (Mi jtf5317)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физическое материаловедение

Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)

Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, С. Т. Гулямова, Г. Х. Аллаярова

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Аннотация: Представленные данные показывают, что при имплантации MoO$_{3}$ ионами Ba$^{+}$ в ионно-легированном слое формируется пленка, состоящая из соединений типа Mo–O, Mo–Ba–O и Ba–O. Это приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов, уменьшению работы выхода $e\varphi$ до 2.7 eV, уменьшению ширины запрещенной зоны $E_{g}$ в $\sim$1.5 раза и увеличению максимального значения коэффициента вторичной электронной эмиссии $\sigma_{m}$ в 1.5 раза. Установлено, что эмиссионная эффективность вторичных электронов приповерхностного слоя чистого Mo заметно больше, чем эмиссионная эффективность ионно-имплантированных слоев Mo. Поэтому увеличение $\sigma_{m}$ после ионной имплантации в основном объясняется уменьшением $e\varphi$ поверхности. При прогреве ионно-имплантированного MoO$_{3}$ до 900 K значение $e\varphi$ уменьшается до 2 eV, а значение $\sigma_{m}$ увеличивается до $T$ = 1000 K.

Ключевые слова: ионная имплантация, эмиссионная эффективность, прогрев, термоэлектронная работа выхода, ширина запрещенной зоны, фотоэлектроны.

Поступила в редакцию: 11.10.2019
Исправленный вариант: 11.10.2019
Принята в печать: 11.11.2019

DOI: 10.21883/JTF.2020.05.49186.338-19


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2020, 65:5, 795–798

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024