Эта публикация цитируется в
6 статьях
Физическое материаловедение
Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)
Б. Е. Умирзаков,
Д. А. Ташмухамедова,
С. Т. Гулямова,
Г. Х. Аллаярова Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация:
Представленные данные показывают, что при имплантации MoO
$_{3}$ ионами Ba
$^{+}$ в ионно-легированном слое формируется пленка, состоящая из соединений типа Mo–O, Mo–Ba–O и Ba–O. Это приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов, уменьшению работы выхода
$e\varphi$ до 2.7 eV, уменьшению ширины запрещенной зоны
$E_{g}$ в
$\sim$1.5 раза и увеличению максимального значения коэффициента вторичной электронной эмиссии
$\sigma_{m}$ в 1.5 раза. Установлено, что эмиссионная эффективность вторичных электронов приповерхностного слоя чистого Mo заметно больше, чем эмиссионная эффективность ионно-имплантированных слоев Mo. Поэтому увеличение
$\sigma_{m}$ после ионной имплантации в основном объясняется уменьшением
$e\varphi$ поверхности. При прогреве ионно-имплантированного MoO
$_{3}$ до 900 K значение
$e\varphi$ уменьшается до 2 eV, а значение
$\sigma_{m}$ увеличивается до
$T$ = 1000 K.
Ключевые слова:
ионная имплантация, эмиссионная эффективность, прогрев, термоэлектронная работа выхода, ширина запрещенной зоны, фотоэлектроны.
Поступила в редакцию: 11.10.2019
Исправленный вариант: 11.10.2019
Принята в печать: 11.11.2019
DOI:
10.21883/JTF.2020.05.49186.338-19