Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

Исследованы основные электрические характеристики термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs/$n$-InAsSbP с полностью либо частично удаленной подложкой в конструкции флип-чип. Показано влияние сопротивления разных частей структуры на пространственное распределение плотности тока в активной области, и определены условия для получения максимально эффективного сбора фототока/минимального сгущения линий тока.