Математическое моделирование двумерной диодной системы с полевым эмиттером лезвийной формы

Представлено вычисление распределения электростатического потенциала в двумерной диодной эмиссионной системе с полевым эмиттером лезвийной формы на плоской подложке. Анод – плоскость, параллельная подложке. Для вычисления распределения потенциала влияние эмиттера заменено влиянием заряженной нити, так что нулевая эквипотенциаль представляет собой поверхность эмиттера. Для решения граничной задачи использован метод разделения переменных в декартовых координатах. Все геометрические размеры системы являются параметрами задачи.