Эта публикация цитируется в
5 статьях
Физическое материаловедение
Фотоэлектрические поля и особенности вторичной структуры номинально чистых кристаллов ниобата лития, выращенных из шихты, легированной бором
Н. В. Сидоров,
Н. А. Теплякова,
Р. А. Титов,
М. Н. Палатников Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И. В. Тананаева Федерального
исследовательского центра "Кольский научный центр РАН", Апатиты, Россия
Аннотация:
Показано, что применение для выращивания номинально чистых кристаллов ниобата лития расплава, структурированного неметаллическим элементом бором, позволяет регулировать особенности вторичной структуры, оптическую однородность, величины фотоэлектрических полей и ширину запрещенной зоны. По характеристикам фотоиндуцированного рассеяния света определены напряженности фотовольтаического и диффузионного полей в номинально чистых кристаллах LiNbO
$_{3}$:В. Показано, что величина диффузионного поля, определяющая концентрацию мелких электронных ловушек, для кристаллов LiNbO
$_{3}$:В имеет промежуточное значение между кристаллами конгруэнтного и стехиометрического составов и зависит от концентрации бора в шихте. При этом ширина запрещенной зоны в кристаллах LiNbO
$_{3}$:В соответствует значению для стехиометрического кристалла, но оптическая однородность кристаллов LiNbO
$_{3}$:В близка к оптической однородности конгруэнтного кристалла, концентрация ОН-групп в кристаллах LiNbO
$_{3}$:В меньше, а их расположение в структуре более упорядочено, чем в конгруэнтном кристалле.
Ключевые слова:
ниобат лития, расплав, фотоэлектрические поля, ИК-спектроскопия, оптическая спектроскопия.
Поступила в редакцию: 31.01.2019
Исправленный вариант: 25.03.2019
Принята в печать: 24.10.2019
DOI:
10.21883/JTF.2020.04.49091.30-19