Латеральные неоднородности сапфировых пластин по данным рентгеновских и зондовых методов

Методами рентгеновской дифрактометрии, рентгеновской рефлектометрии, атомно-силовой микроскопии и склерометрии были исследованы пластины $R$-среза монокристаллов сапфира, выращенных методом Киропулоса и применяемых в качестве подложек для структур кремний-на-сапфире. Установлено, что даже в пределах одной пластины встречаются области с различной степенью совершенства кристаллической структуры. Показано, что результаты четырех методов исследования, построенных на различных физических принципах, находятся в хорошем соответствии и позволяют выявить области несовершенства структуры материала на поверхности пластины. Обоснована целесообразность осуществления комплексного контроля параметров пластин в нескольких областях для снижения брака при применении их в качестве подложек для изготовления электронных устройств.