Сравнительный анализ роста кристаллов, выращенных на Земле и на космической станции, на примере синтеза CrSi$_{2}$ из расплава Zn в системе Cr–Si–Zn

Проанализирован рост кристаллов в “земных” условиях и в условиях космической станции. Показано, что кристаллы CrSi$_{2}$, выращенные из расплава Zn системы Cr–Si–Zn в условиях “невесомости”, обладают избыточным напряжением, по величине сопоставимым с избыточным давлением в расплаве, вызванным “реакцией опоры” на Земле, а также лапласовским давлением.