Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов

Разработана технология СВЧ $p$–$i$–$n$-диодов на основе карбида кремния (SiC). С использованием данных диодов изготовлены переключатели для трехсантиметрового диапазона. Показано, что разработанные приборы по величине рабочей мощности примерно в 10 раз превышают рабочую мощность переключателей на базе Si-диодов при одинаковой толщине базы, равной 5 $\mu$m. Намечены пути дальнейшей оптимизации технологии данных приборов.