Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала

Изучены электрофизические характеристики многослойной мемристивной структуры Au/Ta/ZrO$_{2}$(Y)/TaO$_{x}$/TiN. Обнаружены электронные и ионные электретные эффекты, связанные с захватом носителей заряда на ловушки и ионной миграционной поляризацией в диэлектрике. Установлено влияние ловушек на процессы электроформовки и резистивного переключения. Определены значения энергии активации и концентрации для ловушек и ионов. Обнаружено явление стабилизации резистивного переключения, которое связывается с особенностями двуслойной структуры TaO$_{x}$ и самоформирующимися нанокластерами Ta. Нанокластеры выполняют роль концентраторов электрического поля в процессе электроформовки и последующего резистивного переключения.