Пробеги атомов водорода, дейтерия, гелия в аморфных кремнии и вольфраме

Получены распределения пробегов для атомов H, D, He с энергиями в диапазоне 0.1–100 keV в аморфных W и Si для нормального падения налетающих частиц. Расчеты проведены как в приближении парных соударений, так и более точным методом расчета траекторий частиц. Показано, что результаты обоих методов хорошо согласуются между собой и с экспериментальными данными по средним пробегам для системы H–Si. Оценено влияние притягивающей ямы в потенциале взаимодействия налетающей частицы с атомами твердого тела на результаты расчетов.