И. А. Аверин, И. А. Пронин, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, Е. А. Алимова, С. Е. Игошина, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники”, ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 12,страницы 1917

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физическое материаловедение

Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники

И. А. Аверин^a, И. А. Пронин^ab, Н. Д. Якушова^a, А. А. Карманов^a, Е. А. Алимова^c, С. Е. Игошина^a, В. А. Мошников^b, Е. И. Теруков^bd

^a Пензенский государственный университет
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c АО "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", Пенза, Россия
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проанализирована возможность замены классической для золь-гель методов операции высокотемпературного отжига операцией фотоотжига с использованием излучения ультрафиолетового диапазона длин волн. Предложена методика синтеза иерархически организованных пленок оксида цинка в рамках золь-гель технологии, основанная на параллельном совмещении низкотемпературной обработки и УФ-фотоотжига. Проведены спектроскопические исследования качественного состава пленкообразующего золя и наноматериалов на его основе, полученных на различных типах подложек, до и после инициации фотохимических реакций.

Ключевые слова: оксид цинка, фотоотжиг, золь-гель технология, гибкая электроника.

Поступила в редакцию: 04.06.2019
Исправленный вариант: 04.06.2019
Принята в печать: 10.06.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.12.48492.227-19