Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа

Изучено формирование омических контактов Au/Mo/Ti к эпитаксиальным пленкам алмаза $p$-типа. Исследовано влияние отжига на электрические и структурные свойства контактов. Показано, что при быстром термическом отжиге внешний слой золота защищает контактную систему от окисления вплоть до температуры 850$^\circ$C в отличие от упрощенной системы Au/Ti, распространенной в современных работах. В структурах Au/Ti без слоя Mo после высокотемпературного отжига происходит эффективная диффузия титана в слой золота, что снижает его защитные свойства и ускоряет процесс диффузии кислорода к границе с алмазом. Окисление контактной области Ti/C блокирует формирование проводящего слоя карбида титана с высокой адгезией на границе с алмазом. Сопоставлена роль различных факторов в снижении контактного сопротивления: отжига для формирования карбида титана, сильного легирования алмаза атомами бора и кристаллического совершенства эпитаксиальных подложек алмаза. Для легированных эпитаксиальных пленок, выращенных на подложках качества “single sector”, получены невплавные омические контакты с рекордным контактным сопротивлением 4 $\cdot$ 10$^{-7}$ $\Omega$ $\cdot$ cm$^{2}$.