Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина, А. К. Лашкова, Н. В. Белугина, В. Н. Шут, С. Е. Мозжаров, И. Ф. Кашевич, “Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат”, ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 11,страницы 1692

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXIII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.

Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат

Р. В. Гайнутдинов^a, А. Л. Толстихина^a, А. К. Лашкова^a, Н. В. Белугина^a, В. Н. Шут^b, С. Е. Мозжаров^b, И. Ф. Кашевич^bc

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
^b Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
^c Витебский государственный университет им. П. М. Машерова

Аннотация: Представлены результаты исследования неоднородного сегнетоэлектрика – монокристалла триглицинсульфата с ростовой периодической примесной структурой TGS-TGS+Cr методом сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ). Рассмотрены особенности отображения вариаций емкости при детектировании электростатической силы на удвоенной и утроенной резонансной частоте. Проведены измерения пьезоотклика, поверхностного потенциала и топографии поверхности. Показано, что емкостной контраст формируется как на доменных границах, так и на полосах TGS и TGS+Cr. Продемонстрировано, что СЕСМ на удвоенной резонансной частоте электростатической силы позволяет наблюдать пространственное распределение примеси в сегнетоэлектрической структуре при разнице в концентрации хрома на уровне $\sim$0.02–0.08 mass.%.

Ключевые слова: сканирующая емкостная микроскопия, сегнетоэлектрики, кристалл триглицинсульфата, примесь хрома.

Поступила в редакцию: 28.03.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.11.48330.119-19