Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля

Отработана технология изготовления цепочек туннельных магниторезистивных (ТМР) элементов CoFe/Al$_{2}$O$_{3}$/NiFe с пиннингом на антиферромагнитном слое IrMn. Исследована зависимость формы кривых магнетосопротивления от геометрических параметров латерально ограниченных ТМР-контактов, а также от взаимной ориентации внешнего магнитного поля и оси однонаправленной анизотропии закрепленного слоя CoFe. Сопротивление цепочек составляло от нескольких десятков k$\Omega$ до сотен M$\Omega$ в зависимости от толщины туннельно-прозрачного слоя диэлектрика при величине магниторезистивного эффекта 10–15%. Отработанная технология может быть использована для изготовления туннельных датчиков магнитного поля.