Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон

Приведены результаты изучения выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии высокоомных слоев Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ на подложках BaF$_{2}$ (111) с составами, близкими к инверсии зон. Проведены исследования вольт-амперных характеристик и релаксационных зависимостей фототока структур в зависимости от химической обработки поверхности и последующей экспозиции образцов на воздухе. Обнаружена существенная трансформация наблюдаемых характеристик от физико-химического состояния поверхности. Установлено, что химическая обработка поверхности в растворе соляной кислоты в изопропиловом спирте приводит к увеличению тока до 10$^{4}$ раз с последующим восстановлением вольт-амперных характеристик при экспозиции образцов на воздухе в течение нескольких суток.