RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 10, страницы 1589–1591 (Mi jtf5498)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Твердотельная электроника

Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs

Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова

Аннотация: Показано, что формирование на поверхности GaAs нанопленок GaAlAs приводит к увеличению значения коэффициента эмиссии истинно-вторичных электронов и квантового выхода фотоэлектронов, что объясняется отличием глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов для GaAs и для GaAlAs.

Ключевые слова: эмиссионные свойства, оптические свойства, нанопленка, ионная имплантация, пленки GaAs, нанокристаллические фазы.

Поступила в редакцию: 09.09.2017
Исправленный вариант: 16.03.2018
Принята в печать: 01.03.2019

DOI: 10.21883/JTF.2019.10.48177.2475


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2019, 64:10, 1506–1508

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024