Аннотация:
Показано, что принцип реверсивно-инжекционного управления
можно распространить на приборы транзисторного типа; описаны принцип
действия и конструктивные особенности прибора, работающего на этом
принципе, — реверсивно-управляемого транзистора (РУТ). Описаны
физические процессы при работе РУТ. Экспериментально исследована зависимость
коэффициента усиления по заряду от длительности и амплитуды тока накачки.
Приведены предельные параметры РУТ и показано, что коммутируемый
импульсный ток этого прибора может быть в несколько раз больше,
чем у обычного транзистора, выполненного на одинаковом кремниевом диске.