Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига

Представлены результаты исследования модификации поверхности Si(111) при бомбардировке ионами щелочных элементов в сочетании с отжигом и показано, что при энергии ионов в интервале 0.3–1 keV после прогрева на поверхности Si формируется монослойное покрытие силицида металла. Установлено, что работа выхода $\varphi$ поверхности образца Si(111) сложным образом зависит от дозы при различных энергиях облучения и типах ионов.