Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости

Проведено моделирование основных характеристик термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs в конструкциях с контактом ограниченной площади к облучаемому слою $p$-InAsSbP и флип-чип с вводом излучения через свободную от контактов поверхность подложки $n^{+}$-InAs. Показано влияние особенностей конструкции на температуру активной области и на эффективность преобразователя.