Эта публикация цитируется в
2 статьях
Фотоника
Исследования стабильности тонкопленочных структур Cu–As$_{2}$S$_{3}$ и Ag–As$_{2}$S$_{3}$
А. М. Настас Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
Аннотация:
Объектом исследования были тонкопленочные структуры Cu–As
$_{2}$S
$_{3}$ и Ag–As
$_{2}$S
$_{3}$, полученные методом последовательного термического испарения Cu (Ag) и As
$_{2}$S
$_{3}$ в вакууме на стеклянные подложки. Образцы хранились в атмосфере воздуха при комнатной температуре в темноте в течение 6 месяцев. Периодически проводилось измерение спектров пропускания исследуемых структур. Логарифм обратного пропускания в области прозрачности As
$_{2}$S
$_{3}$ был использован в качестве меры, пропорциональной толщине металлической пленки. Установлено, что зависимость толщины металлических пленок от времени хранения изменяется по линейному закону для Ag–As
$_{2}$S
$_{3}$, а для Cu–As
$_{2}$S
$_{3}$ зависимость может быть аппроксимирована двумя различными линейными участками. На основании сравнения уменьшения толщины металлического слоя выявлено, что структура Ag–As
$_{2}$S
$_{3}$ значительно более стабильна, чем структура Cu–As
$_{2}$S
$_{3}$. Сделано предположение, что при хранении в темноте исследуемых структур серебро в отличие от меди практически не взаимодействует с As
$_{2}$S
$_{3}$, хотя его диффузия в пленку As
$_{2}$S
$_{3}$ при хранении происходит непрерывно.
Ключевые слова:
халькогенидный стеклообразный полупроводник, тонкопленочные структуры, спектры пропускания, фотодиффузия. Поступила в редакцию: 01.03.2018
Исправленный вариант: 01.03.2018
Принята в печать: 11.03.2019
DOI:
10.21883/JTF.2019.08.47900.93-18