Субструктура интерметаллического соединения Cu$_{3}$Sn в тонкопленочном состоянии

Исследована субструктура кристалла итерметаллического соединения Cu$_{3}$Sn, синтезированного в ходе последовательной конденсации тонких слоев меди и олова на подложку при температуре 150$^\circ$C. Соединение Cu$_{3}$Sn существует в очень узкой области гомогенности и имеет длиннопериодическую плотноупакованную упорядоченную сверхструктуру, тип сверхструктуры был определен как D0$_{19}$. Установлено, что кристалл содержит большое количество следов сдвига решетки, являющихся результатом движения дислокаций, что обусловлено напряженным состоянием кристалла, которое можно охарактеризовать, как всестороннее растяжение. Путем анализа электронно-микроскопического изображения установлено, что следы сдвига в кристалле Cu$_{3}$Sn параллельны плоскостям ($\bar{11}$21) и (11$\bar{2}$1), относящимся к пирамидальной системе скольжения II-го типа и принадлежащим к одной из основных систем скольжения наряду с базисной и призматической плоскостями. Следы скольжения возникли в результате движения частичных дислокаций, о чем свидетельствует величина сдвига, равная половине межплоскостного расстояния. Так как кристалл упорядочен, скольжение осуществляется парой сверхчастичных дислокаций, а данный след скольжения может быть сверхструктурным или комплексным дефектом упаковки.