Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния

Исследованы особенности резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния. Установлены закономерности токопереноса в исходном состоянии, после электроформовки и резистивного переключения конденсаторов при разных температурах. Определены параметры малосигнальной эквивалентной схемы конденсатора в зависимости от переключения в низкоомное или высокоомное состояние, которые свидетельствуют об изменении сопротивления филаментов при каждом новом переключении. Это позволяет использовать такие измерения с целью выяснения природы резистивных переключений и эффективного контроля воспроизводимости их параметров. Установлена роль ловушек для электронов при переключении. Обнаружена ионная миграционная поляризация при температурах выше 500 K, определены энергия активации миграции ионов и концентрация ионов. Впервые обнаружено и объяснено явление резистивного переключения под действием температуры.