Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$

Исследованы состав и параметры энергетических зон тонких пленок SiО$_{2}$, полученных на поверхности свободной системы Si/Cu. Показано, что в отличие от пленок SiО$_{2}$, созданных на поверхности толстых пленок, значение $E_{g}$ для тонких пленок SiО$_{2}$ составляет всего лишь $\sim$4.1 eV. Это объясняется наличием в пленке SiО$_{2}$ примесных атомов Si и нестехиометрических окислов из-за невозможности прогрева системы выше температуры 700 K.