RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2019, том 89, выпуск 5, страницы 759–761 (Mi jtf5624)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физическая электроника

Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si

Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева

Ташкентский государственный технический университет

Аннотация: Определены оптимальные условия ионной имплантации и последующего отжига для получения наноразмерных пленок NiSi$_{2}$/Si (111) с толщиной 3.0 – 6.0nm. Показано, что зонно-энергетические параметры и оптические свойства, характерные для толстых пленок NiSi$_{2}$, начинают устанавливаться с $d$ = 5.0 – 6.0 nm.

Поступила в редакцию: 16.05.2018
Исправленный вариант: 02.10.2018
Принята в печать: 14.11.2018

DOI: 10.21883/JTF.2019.05.47481.192-18


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2019, 64:5, 708–710

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024