Инверсия типа проводимости тонких пленок $n$-InSe под действием лазерного излучения

Инверсия типа электропроводности тонких пленок $n$-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. $P$–$n$-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.