Аннотация:
Инверсия типа электропроводности тонких пленок $n$-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. $P$–$n$-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.
Поступила в редакцию: 14.03.2018 Исправленный вариант: 10.05.2018