Аннотация:
Миниатюризация и увеличение скорости работы электронных приборов требует получения диэлектрических пленок оксида кремния нанометровой толщины. Для создания таких структур необходимо понимание процесса начального окисления кремния. Предложена теоретическая модель термического окисления тонких монослоев кремния, учитывающая рост напряжений в переходном слое оксид – подложка по мере накопления в нем кислорода.
Поступила в редакцию: 26.04.2018 Исправленный вариант: 28.09.2018
Полный текст:
PDF файл (148 kB)
