Аннотация:
Проведено изучение природы нарушений, создаваемых
в монокристаллах окиси цинка в результате бомбардировки тяжелыми ионами
(углерод, кислород) высоких энергий (около 100 МэВ). Изучались спектры
фотолюминесценции и отражения имплантированных и неимплантированных областей
монокристаллов. Показано, что внедрение примеси происходит на глубину
${\sim60}$ мкм без особых нарушений неимплантируемой матрицы кристалла.
В области торможения внедряемых ионов обнаружено образование анионных
и катионных вакансий, а также ассоциатов вида
$(\text{Zn}^{+}_{i}V''_{\text{Zn}})'$. Изучен профиль имплантации.