Аннотация:
Впервые установлена существенная фоточувствительность отрицательного магнитосопротивления (ОМС) в кремнии с магнитными нанокластерами атомов марганца при освещении как фоновым, так и ИК-светом (до $\lambda$ = 3 $\mu$m) при комнатной температуре. Обнаружено, что освещение приводит к существенному уменьшению величины ОМС, т. е. наблюдается эффект гашения ОМС, а при более высокой интенсивности освещения происходит инверсия знака магнитосопротивления. Установлены закономерности изменения величины ОМС и условий инверсии знака магнитосопротивления.