Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, Г. Н. Мосина, И. Л. Шульпина, Ю. П. Яковлев, “Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов”, ЖТФ, 1987, том 57, выпуск 2,страницы 316

Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов

Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, Г. Н. Мосина, И. Л. Шульпина, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Методами рентгеновской топографии и просвечивающей электронной микроскопии изучалось дефектообразование в гетероструктурах GaAlSb/GaSb полученных жидкостной эпитаксией. Выявлены особенности формирования сетки дислокаций несоответствия (ДН) при использовании подложек, отличающихся легированием и плотностью ростовых дислокаций. Обсуждаются причины обнаруженных особенностей и предлагаются рекомендации по совершенствованию получения таких гетероструктур.

УДК: 535.376.2

Поступила в редакцию: 04.12.1985