Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$

Получены нанопленки и регулярно расположенные наноразмерные фазы Si с толщиной 1–2 nm и изучены их морфологии поверхности, кристаллические структуры и зонно-энергетические параметры. Показано, что ширина запрещенной зоны нанокристаллических фаз Si, полученных при толщине $\theta$ = 2 – 3 монослоев, составляет $\sim$1.4 eV.