Структурные и магнитные свойства систем Al$_{2}$O$_{3}$/Ge-$p$/Al$_{2}$O$_{3}$/Co

Представлены экспериментальные результаты для системы Al$_{2}$O$_{3}$/Ge-$p$/Al$_{2}$O$_{3}$/Co с буферным слоем из Al$_{2}$O$_{3}$, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.