Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией

С использованием метода ионной имплантации получена двуслойная система типа CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si и определены оптимальные режимы имплантации и отжига для ее формирования. Показано, что такая система формируется, когда разности между высокой и низкой энергией ионов составляет не менее 15–20 keV. Сформированные структуры имели гладкую поверхность с высокой кристалличностью.