Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, В. В. Лучинин, А. А. Бобков, И. А. Врублевский, К. В. Чернякова, Е. И. Теруков, “Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники”, ЖТФ, 2018, том 88, выпуск 11,страницы 1678

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Твердотельная электроника

Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники

Е. Н. Муратова^a, В. А. Мошников^a, В. В. Лучинин^a, А. А. Бобков^a, И. А. Врублевский^b, К. В. Чернякова^b, Е. И. Теруков^c

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследований электрических и тепловых характеристик плат на основе алюминия с наноструктурированным слоем анодного оксида алюминия и медными проводниками для монтажа мощных полевых транзисторов. Показано, что наличие тонкого диэлектрического слоя и толстой алюминиевой основы с высокой теплопроводностью обеспечивает равномерное распределение генерируемого активным элементом тепла по всему объему платы без образования локальных областей с повышенной температурой. Результаты экспериментов свидетельствуют о том, что значение градиента температуры между источником нагрева и поверхностью анодного оксида алюминия составляет величину порядка 17–18$^\circ$C при удельной поверхностной мощности нагрева 4.4 W/cm$^{2}$.

Поступила в редакцию: 14.09.2017

DOI: 10.21883/JTF.2018.11.46629.2480